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2025-09-17 15:33:58 文章来源：发布人：陈莉

图书简介：
本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω•cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω•cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

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